Der Kurzschlußstrom einer Solarzelle sollte in erster Näherung linear
mit der Temperatur ansteigen. Messungen an kommerziellen Solarzellen
ergaben eine Abnahme des Kurzschlußstromes ab etwa 350 K. Dieses
Verhalten war bisher noch nicht beobachtet und erklärt worden. In dieser
Arbeit wurden mit Hilfe von PC-1D, einem
Solarzellensimulationspro-gramm, Halbleiterparameter von Solarzellen
verändert mit dem Ziel, die gemessene Temperaturabhängigkeit des
Kurzschlußstromes nachzubilden. Es wurden eigene Programme entwickelt,
die den Temperatureinfluß verschiedener Parameter, die in die Berechnung
des Kurzschlußstromes von Solarzellen eingehen, aufzeigen. Dabei zeigten
Änderungen der Werkstoffparameter nicht den gewünschten Effekt. Da der
Kurzschlußstrom von der Lichteinstrahlung abhängt, lag es nahe, die
optischen Eigenschaften der Solarzelle zu untersuchen. Zufällig ergab
sich bei der Variation der Antireflex-Beschichtung ein Abfall des
Kurzschlußstromes. Messungen der Reflexion an Solarzellen bei
unterschiedlichen Temperaturen ergaben, daß Antireflex-Beschichtungen
aus Titandioxid einen Einfluß auf den Kurzschlußstrom der Solarzellen
haben. Mit zunehmender Temperatur nimmt auch die Reflektivität zu: Bei
einer Temperaturerhöhung von 300 K auf 500 K führt eine Beschichtung mit
Titandioxid zu einem Anstieg der reflektierten Intensität von bis zu 20
%. Es ist daher plausibel, daß der Kurzschlußstrom, der ja direkt von
der eingestrahlten Photonenleistung abhängig ist, mit dem Anstieg der
Reflexion abnimmt. Im Vergleich zur Beschichtung mit Titandioxid führte
eine Beschichtung mit Siliziumnitrid nicht zu einer hinreichenden
Zunahme der Reflektivität, um einen Abfall des Kurzschlußstromes zu
errechnen. Die Messungen an Solarzellen mit Siliziumnitrid-Beschichtung
ergaben aber auch nicht den Abfall des Kurzschlußstromes, der für die
Solarzellen mit Titandioxid-Beschichtung charakteristisch ist. Die
gemessene wellenlängenabhängige Reflexion wurde als weiterer Parameter
in die Si
